VDP-A系列 等離子去膠系統
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編號 內容 規格參數
1 整機結構 前端設備操作單元、前端EFEM單元及等離子處理單元,前端EFEM系統與等離子體處理單元分體式設計
2 等離子體源 射頻式電感耦合等離子體源或雙頻等離子體源
3 反應腔室 標準設計為雙反應腔室,可根據需求定制單反應腔室和多反應腔室結構
4 機械傳片 單臂或雙臂高精度機械手Wafer升降
5 Wafer升降 機械式Wafer pin升降結構,Wafer pin采用特定工藝處理
6 真空泵 干式真空泵,根據安裝位置及工藝不同,選擇100-600m3/h規格。如工藝需求,可增加分子泵。
7 工藝壓力控制 自動調壓蝶閥
8 真空檢測 管道真空計、反應腔室全量程真空計、工藝真空計
9 工藝氣體種類 標準配置Ar、N2、O2,可增加CF4及其他工藝氣體
10 氣體流量控制 質量流量控制器(MFC)
設備主要應用:硅基半導體及化合物半導體的光阻灰化、高劑量離子注入后光刻膠去除、金屬表面去膠、Wafer表面的殘膠去除、Wafer表面殘留污染物去除、晶圓級封裝的前處理工藝等。
設備主要特點:可兼容多尺寸晶圓、可實現多反應腔室定制、獨特的等離子處理空間設計、等離子體密度高、去膠速率快、均勻性好、使用成本低、定制程度高、本系列設備的設計遵從中國國家安全標準及SEMI相關安全標準要求。
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